Значение мульти: Мульти… — это… Что такое Мульти…?

• Моя библиотека

Нанослой композита ZnO с квантованием края подвижности для многозначных логических транзисторов

ZnO и резонансная гибридизация

Тонкие пленки органо-неорганической гибридной сверхрешетки со структурами квантовых ям были изготовлены с использованием осаждения молекулярных слоев (MLD) и осаждения атомных слоев (ALD) ) для получения молекулярных слоев 4-меркаптофенола (4MP) с линкерами Al (Al4MP) и нанослоями ZnO соответственно, как показано на дополнительном рис.1. Органический нанослой Al4MP толщиной 10 нм в качестве барьерной стенки был сформирован на кремниевой подложке 20 циклами MLD. Неорганический нанослой ZnO в качестве активной лунки был нанесен на органический слой с помощью 19 циклов ALD с использованием диэтилцинка (DEZ) и воды в качестве прекурсоров. Толщина нанослоя ZnO составляла 2,8 нм. Полученные в результате тонкие пленки гибридной сверхрешетки с квантовыми ямами ZnO легко выращивались на подложках при низких температурах (ниже 150 ° C) с помощью повторяющихся процессов MLD и ALD в той же реакционной камере.Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) была использована для характеристики тонкой пленки гибридной сверхрешетки с тройными квантовыми ямами ZnO. Поперечное сечение ПЭМ позволило напрямую наблюдать квантовые ямы и подтвердило ожидания отдельных нанослоев Al4MP и ZnO в гибридной тонкой пленке (рис. 1а). Измеренная толщина структуры с квантовыми ямами составила примерно 10 и 2,8 нм для Al4MP и ZnO соответственно. Изображения ПЭМ также показали точный контроль толщины каждого слоя и чрезвычайно низкую шероховатость поверхности, сравнимую с шероховатостью кремниевой подложки, а также четкие границы раздела между нанослоями.Эти результаты подтвердили успешное создание тонких пленок гибридных сверхрешеток с квантовыми ямами ZnO.

Композитный нанослой оксида цинка (ZnO) с квантованием края подвижности посредством резонансной гибридизации. a Схематическое изображение тонкой пленки органо-неорганической гибридной сверхрешетки. Поперечное сечение просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) гибридной сверхрешетки и нанослоя ZnO в сверхрешетке. Желтые кружки с пунктирными линиями вдоль нанослоя ZnO представляют квантовые точки (КТ) ZnO. b Схематическое изображение резонансной гибридизации квантованных уровней энергии квантовых точек ZnO с локализованными уровнями аморфного ZnO ​​для композитного нанослоя ZnO. c Принципиальная диаграмма полной плотности состояний композитного нанослоя ZnO в гибридной сверхрешетке. d Фотография массивов интегрированных многозначных логических транзисторов на 4-дюймовых кремниевых пластинах с SiO толщиной 300 нм ₂ . Схематическая структура в правом красном прямоугольнике представляет собой единичный транзистор, содержащий тонкие пленки гибридной сверхрешетки e Линейно-масштабные передаточные характеристики бинарного транзистора с одним нанослоем ZnO в структурах с квантовыми ямами.Схема структуры активного слоя транзистора представлена ​​на вставке изображения. f Линейно-масштабные передаточные характеристики четверного транзистора с тройными нанослоями ZnO. Схема структуры активного слоя в транзисторе представлена ​​на вставке изображения

. На изображении ПЭМ с высоким разрешением поперечного сечения одиночной квантовой ямы на рис. 1а показан нанослой ZnO со средней толщиной ~ 2,8 нм. . Кружки с желтыми пунктирными линиями на рис.1а обозначают нанокристаллы ZnO (квантовые точки, квантовые точки), окруженные аморфными доменами ZnO (a-ZnO), что указывает на то, что нанослой ZnO представляет собой составную систему квантовых точек и аморфных доменов. Кроме того, домены a-ZnO образуют тонкий пористый слой, в котором размещены внедренные КТ, что приводит к гетерогенным электронным системам аморфного пористого слоя и КТ. Электронная структура композитного нанослоя ZnO определяется структурой квантовых точек a-ZnO, ZnO и их межфазной связи. В отличие от кристаллических 2D или 3D полупроводников с четко определенными краями зоны проводимости и валентной зоны (см. Дополнительный рис.2а) аморфные полупроводники имели широкое распределение локализованных состояний, и перколяция (или связность) локализованных состояний определяла подвижность носителей заряда, отмеченную краями подвижности (см. Дополнительный рис. 2б). Из-за наличия пористых доменов a-ZnO композитный нанослой имел много локализованных состояний, диспергированных в хвосте зоны проводимости (ниже края подвижности a-ZnO). Кроме того, квантовые точки ZnO в композитном нанослое имели квантованные дискретные состояния, локализованные внутри квантовых точек (см. Дополнительный рис.3d). Для композитного нанослоя ZnO резонансное согласование энергии между локализованными состояниями аморфных доменов и квантованными дискретными состояниями квантовых точек вызвало селективную гибридизацию энергетических состояний на их границах раздела (как показано на рис. 1b), что привело к появлению делокализованных транспортных каналов в квантовых точках. уровни энергии. Эта уникальная гибридизация произвела неожиданное квантованное проводящее состояние чуть ниже края подвижности a-ZnO (рис. 1c), которое сформировало квантованный край подвижности за счет явления квантового ограничения квантовых точек.Обратите внимание, что квантованное проводящее состояние на границе подвижности имело низкую плотность состояний (DOS) (одно состояние на квантовую точку, составляющую 2–3 нм), что эффективно ограничивало бы доступное количество носителей через квантованное мобильное состояние.

Полевые транзисторы (FET) с многоуровневой проводимостью были изготовлены с использованием тонких пленок гибридной сверхрешетки Al4MP-ZnO в качестве активных слоев. Тонкие пленки гибридной сверхрешетки были нанесены на кремниевые подложки с превосходным качеством пленки и однородностью с использованием MLD-ALD.Структурная и электрическая однородность тонкой пленки гибридной сверхрешетки позволила изготавливать массивы многозначных логических транзисторов в масштабе пластины, как показано на рис. 1d. Подробная информация о процессе изготовления представлена ​​в разделе «Методы». Кроме того, 284 тройных полевых транзистора в пластине демонстрируют по существу равномерное распределение передаточных характеристик, как показано на дополнительном рис. 4. Успех процесса изготовления предполагает, что применение этих полевых транзисторов большой площади в электронике и вычислительной технике следующего поколения может быть осуществимым.На рисунке 1d представлена ​​схема устройства многозначного полевого транзистора с конфигурацией нижнего затвора и верхнего контакта. Состав тонкой пленки гибридной сверхрешетки варьировался путем управления количеством нанослоев композита ZnO. Чтобы продемонстрировать электрические характеристики в соответствии с изменением состава сверхрешетки, мы изготовили два набора многозначных полевых транзисторов с использованием одинарного и двойного нанослоев ZnO. На рисунке 1д показаны передаточные характеристики транзистора на основе одиночного нанослоя ZnO со структурой с квантовыми ямами, измеренные при В _D = 1 В.Первоначально, по мере увеличения В _G , ток I _D быстро увеличивался (до 3,9 нА при В _G 1 В), но ток насыщался при определенном напряжении затвора из-за накопления электронов. на нанослое ZnO ограничивалось ограничением плотности состояний в квантованном расширенном состоянии. Ток стока оставался постоянным независимо от развертки напряжения затвора, что приводило к четко определенному состоянию и формированию промежуточного состояния.Для полевого транзистора, содержащего двойные нанослои ZnO в структурах с квантовыми ямами, были четко сформированы два состояния насыщения тока, как показано на дополнительном рисунке 5. Кроме того, транзистор с тремя нанослоями ZnO имел четверные уровни: включенное и выключенное состояния и два промежуточных состояния. состояний между включенным и выключенным состояниями, как показано на рис. 1f. Эти результаты показывают, что количество промежуточных состояний зависит от количества нанослоев композита ZnO в структурах с квантовыми ямами. Что еще более важно, впервые в истории создания многозначных логических устройств, двоичные, тройные и четверные устройства были одновременно созданы на основе одной и той же системы материалов — композитного нанослоя ZnO.Важно отметить, что многоступенчатая природа полевого транзистора, основанного на многозначных транзисторах, может контролироваться количеством нанослоев, и могут быть достигнуты многозначные логические схемы с более высоким основанием.

Квантование края подвижности и насыщение по току, ограниченное плотностью состояний

Квантовое ограничение и квантование края подвижности теперь подробно объясняются с использованием экспериментальных данных и теоретических расчетов для композитных нанослоев ZnO. В общем, аморфные полупроводники имеют много локализованных состояний, которые препятствуют переносу электронов, известное как локализация Андерсона ²⁵ , и эта локализация создает локализованные состояния с низкой плотностью и делокализованные (т.е.e., расширенные) электронные состояния с высокой плотностью, приводящие к локализованным состояниям хвоста зоны, показанным на дополнительном рис. 2b. Границы подвижности определяют границу между проводящим и локализованным состояниями. В кристаллических полупроводниках краевые состояния зон расширены и совпадают с краями подвижности, но в аморфных полупроводниках края подвижности являются границей между локализованными и расширенными состояниями и определяют практическую ширину запрещенной зоны, в которой подавляется перенос электронов ^26,27,28 (дополнительный рис.2а, б). Теория перколяции может описать переход локализация-делокализация как функцию плотности электронных состояний в аморфных полупроводниках ²⁹ . При низкой плотности электронов в локализованных состояниях прыжки электронов между узлами экспоненциально локализованы по среднему расстоянию, но при более высокой плотности состояний электронные состояния перекрываются в достаточной степени, чтобы образовать делокализованные состояния. Количественно степень локализации электронного состояния может быть рассчитана по делокальности ( D ) волновой функции, как определено в уравнении S1 на дополнительном рис.6. Делокальность электронного состояния связана с долей доступного пространственного объема состояния в классическом смысле (т. Е. Относительной объемной долей, когда энергия больше потенциала по сравнению с общим объемом) и может использоваться для определения локализованного или расширенные состояния. В связи с теорией перколяции делокальность увеличивается с увеличением энергии состояния выше края зоны проводимости кристаллического ZnO. Пороговое значение делокальности ( D _c ) является количественным критерием для определения местоположения пороговой энергии перколяции E _c (или E _v ), которая является границей подвижности ²⁹ .Ниже пороговой делокальности ( D < D _c ) волновая функция изолирована, будучи встроенной в недоступный объем извне. В качестве альтернативы, выше порога ( D > D _c ) волновая функция может распространяться по системе, то есть становиться делокализованной, обеспечивая перенос заряда. Подробный процесс определения критерия D ( D _c ) описан на дополнительном рис.6 и сопроводительный текст.

Мы рассматриваем делокальность композитного нанослоя, состоящего из полупроводниковых квантовых нанокристаллов и его аморфных доменов, т.е. нанокристаллов, внедренных в его аморфные 2D пористые домены. Нанослои ZnO, полученные при низких температурах (ниже 150 ° C) методом ALD, состояли из квантовых точек и аморфных доменов, то есть нанокристаллов ZnO, внедренных в аморфный ZnO. На ПЭМ-изображении композитного нанослоя на рис. 2а вид сверху показывает кристаллические квантовые точки ZnO (красные кружки), окруженные аморфными доменами.Изображения быстрого преобразования Фурье (БПФ) для каждой части показаны на дополнительном рисунке 7 ^30,31 . Средний размер зерна квантовых точек ZnO составлял приблизительно 3 (± 1) нм, а среднее расстояние между квантовыми точками составляло приблизительно 2,5 нм. Мы выполнили расчеты теории функционала плотности для изучения квантования края подвижности с использованием атомной модельной структуры композитного нанослоя ZnO (384-атомная ячейка, состоящая из квантовых точек ZnO и аморфных доменов ZnO; подробности расчетов см. В разделе «Методы»), как показано на рис. .2b. Серия волновых функций (| Ψ | ² ) изоповерхностей для каждого локализованного, квантованного расширенного и расширенного состояний была рассчитана на основе рассчитанных электронных структур, как показано на дополнительном рисунке 8. Расчетная делокальность нанослоя ZnO показала, что наличие локализованных состояний в хвосте зоны проводимости в нанослое ZnO (рис. 2в) за счет аморфных доменов ZnO. Однако внутри хвоста были квантованные дискретные делокализованные состояния из-за связи с дискретными уровнями энергии ( E _QD ) КТ ZnO, как показано на рис.2c. Волновая функция квантованного состояния была делокализована по КТ и аморфным доменам посредством резонансной гибридизации, как показано на изоповерхности волновой функции на рис. 2d. Эта гибридизация эффективно усилила делокальность локализованных состояний на E = E _QD , чтобы превысить критическую делокальность ( D > D _c ), и возникли проводящие состояния, как показано на рис. 2в. Однако чуть выше квантованного дискретного уровня энергии КТ ZnO, т.е.е. когда E > E _QD , делокальность уменьшилась ниже порога ( D < D _c ) из-за отсутствия разрешенных состояний в QD, и проводящие состояния исчезли в пористый 2D нанослой a-ZnO. Квантованное расширенное состояние определяет край подвижности, который отличается от непрерывных расширенных состояний однородной аморфной системы, и мы придумали термин «квантование края подвижности» для обнаруженного явления.

Квантованные протяженные состояния композитного нанослоя оксида цинка (ZnO) в структуре квантовых ям. a Изображение нанослоя ZnO, полученное с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (HRTEM), вид сверху. Пунктирные красные кружки соответствуют нанокристаллам ZnO, внедренным в аморфные домены ZnO. b Атомная структура нанослоя ZnO, представленная как периодическое изображение 2 × 2 384-атомной ячейки. Серые и красные шары обозначают атомы Zn и O соответственно. Синие шестиугольники показывают границы между нанокристаллами во внутренней области и аморфными доменами во внешней области. c Полная плотность состояний для нанослоя композита ZnO. Серые пунктирные линии с E _v и E _c представляют края подвижности валентной зоны и зоны проводимости, соответственно. Квантованные расширенные состояния чуть выше E _c обозначены синей стрелкой. d Изоповерхность волновой функции (| Ψ | ² ) в квантованном расширенном состоянии перекрывала атомную структуру нанослоя ZnO. e Схема структуры бинарных полевых транзисторов с композитом ZnO и поликристаллическими нанослоями в структуре с квантовыми ямами. f Изображение поперечного сечения нанослоя поликристаллического ZnO ​​без аморфных доменов, полученное с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). г Линейно-масштабные передаточные характеристики двух бинарных транзисторов с нанослоем композита ZnO (красный) или высококристаллическим нанослоем ZnO (черный). h Схематическая диаграмма энергетических зон композитного нанослоя ZnO полевого транзистора при В _G > 1 В

Чтобы подтвердить квантование композитного нанослоя ZnO в структуре квантовой ямы, мы зажали 2.Слой ZnO толщиной 8 нм между двумя органическими барьерными слоями Al4MP. Квантование уровней энергии в традиционных полупроводниковых тонких пленках было продемонстрировано путем измерения поведения отрицательного дифференциального сопротивления (NDR) в структурах электронных устройств с квантовыми ямами ^32,33 . Двухбарьерные резонансно-туннельные диоды (RTD) обычно состоят из полупроводниковой структуры с квантовыми ямами, заключенной между двумя потенциальными барьерами. В нашей системе структура квантовой ямы включала барьерный слой Al4MP (10 нм) / нанослой ZnO (2.8 нм) / барьерный слой Al4MP (10 нм). Поведение NDR было подтверждено разверткой от -2,5 до 2,5 В, как показано на дополнительном рис. 9a, что указывает на то, что устройство с квантовыми ямами содержало квантованные состояния нанослоя ZnO в качестве ямы между барьерами Al4MP. Симметричная кривая NDR с обеими областями напряжения показывает, что источником тока NDR были квантованные состояния нанослоя ZnO, а не накопление заряда. Следовательно, характеристики NDR устройства с квантовыми ямами были обусловлены квантованными состояниями нанослоя ZnO.Дальнейшие доказательства квантования энергии в нанослоях ZnO ранее были получены измерениями оптического поглощения ^32,34 . В нашей системе тонких пленок гибридной сверхрешетки Al4MP-ZnO мы наблюдали оптический синий сдвиг в спектрах поглощения при уменьшении толщины нанослоя ZnO (дополнительный рис. 9b). Несмотря на то, что эти результаты показывают, что композитный нанослой ZnO имел квантованные энергетические состояния в вертикальном направлении, они не доказали квантование края подвижности с квантованными состояниями в направлении плоскости в дополнение к вертикальному направлению.Край подвижности аморфного полупроводника еще не доказан непосредственно экспериментальным анализом даже после 50 лет интенсивных исследований ³⁵ . Текущее насыщение в полевом транзисторе потенциально может быть использовано для демонстрации квантования края подвижности композитного нанослоя с квантовыми точками ZnO и доменами a-ZnO. Полевые транзисторы были изготовлены с использованием двух типов нанослоев ZnO в структуре квантовых ям в качестве активных каналов (рис. 2д): композитный нанослой с квантовыми точками / аморфными доменами и поликристаллический нанослой без аморфных доменов (рис.2е). В характеристиках передачи в линейном масштабе ток стока композитного нанослоя полевого транзистора насыщался и оставался постоянным независимо от развертки напряжения на затворе, в то время как электрическое поведение поликристаллического (аморфного) полевого транзистора с нанослоем было похоже на поведение типичного тонкопленочного полевого транзистора из ZnO с нет насыщения по току, как показано на Рис. 2g (Дополнительный Рис. 10). Текущее насыщение композитного нанослоя ZnO полевого транзистора можно объяснить только конечной плотностью состояний для квантованных проводящих состояний на границе подвижности, как показано на рис.2ч. Этот результат указывает на то, что низкая DOS от квантования края мобильности была существенной для текущего насыщения, потому что она эффективно ограничивала доступное количество несущих через квантованное мобильное состояние. Затем мы применили это уникальное явление для создания многозначных логических транзисторов, которые исследуются уже более полувека.

Многозначные логические транзисторы и устройства

На рисунке 3а показана структура многозначного логического транзистора с каналом, состоящим из двух нанослоев ZnO.Первый нанослой композита ZnO был покрыт органическими слоями Al4MP для образования структуры с квантовыми ямами, а второй слой представляет собой тонкий нанослой ZnO без верхнего слоя Al4MP. Обратите внимание, что органические слои Al4MP использовались в качестве барьеров для предотвращения n-легирования поверхности ZnO, как это часто наблюдается в неорганических гетеропереходах, то есть AZO ³⁶ и ITO ³⁷ . Кроме того, органический слой Al4MP будет препятствовать проникновению прекурсора ALD в слой ZnO во время осаждения, что объясняет резкую границу раздела между ZnO и слоем Al4MP ³⁸ (рис.1а). Нанослой ZnO, окруженный органическим слоем Al4MP, имел гладкую морфологию с резкими границами раздела. Схематическая диаграмма энергетических зон устройства, находящегося в равновесии при нулевом смещении затвора, показана на рис. 3b; это представляет собой вертикальный путь от электрода истока до электрода затвора. Изолированный красный пик на краю подвижности указывает на квантованное расширенное энергетическое состояние в первом нанослое ZnO, как показано на рис. 3b. Энергия зоны проводимости как -1,0 эВ и энергия валентной зоны как -7,2 эВ нанослоя Al4MP были измерены с помощью ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (UPS) и глубокой ультрафиолетовой (DUV) спектроскопии (дополнительный рис.11). На рисунке 3c показаны измеренные характеристики передачи ( I _D — V _G ) многозначного логического транзистора; транзистор с троичной логикой в ​​этом случае из-за трех разделенных состояний. Ток стока, насыщенный при 3,9 нА, формирует отчетливое промежуточное состояние в области В _G = 1–2 В, а затем снова увеличивается, давая ступенчатое значение I _D — В _G характеристика.Во время этой операции не наблюдается значительного гистерезиса (дополнительный рис. 12). Текущий уровень промежуточного состояния можно модулировать, регулируя толщину первого слоя ZnO, как показано на дополнительном рис. 13. Это очень своеобразное поведение, которое не ожидается от двух параллельно соединенных слоев ZnO, потому что ток от обоих слоев должен увеличиваются одновременно.

Тройной транзистор с композитными нанослоями из двойного оксида цинка (ZnO). a Схема структуры тройного транзистора. b Диаграмма энергетических зон тройного транзистора в заземленном состоянии ( В _G = 0). c Передаточные характеристики тройного транзистора при В _D = 1 В. d Измеренные и смоделированные передаточные характеристики тройного транзистора при В _D = 1 В. e Выход ( I _D — V _D ) характеристики тройного транзистора при различных значениях V _G . f — h Идеальное представление диаграмм энергетических зон от истока до затвора в тройном транзисторе. Диаграммы полос совпадают с областью I ( f ), областью II ( g ) и областью III ( h ), как показано на рис. 3c, соответственно. i Характеристики передачи напряжения тройного инвертора, изготовленного с использованием тройного транзистора. На вставке показана принципиальная электрическая схема тройного инвертора. j Характеристики передачи напряжения «бабочка» для запаса статического шума. k Переходные характеристики затворов NMIN и NMAX на основе тройных транзисторов

Чтобы понять механизм проводимости тока и предсказать производительность устройства, мы выполнили теоретическое моделирование с учетом уникальной электронной структуры первого композитного нанослоя ZnO с квантовыми точками и аморфными доменами, которые дали квантованные проводящие энергетические состояния на границе подвижности. Технологическое компьютерное моделирование (TCAD) было построено и откалибровано путем включения модели Шредингера-Пуассона, а также модели диффузионного дрейфа в Silvaco ATLAS-2D.Параметры моделирования перечислены в дополнительной таблице 1. Как показано на рис. 3d, экспериментальная передаточная кривая в линейном масштабе показала хорошее согласие с теоретической моделью, что указывает на то, что наша физическая модель действительна и может использоваться для прогнозирования производительности устройства ³⁹ . На рисунке 3e показаны выходные характеристики ( I _D — V _D ) транзистора с троичной логикой. Помимо наличия промежуточного состояния при низком уровне тока, тройной логический транзистор демонстрировал типичные выходные характеристики полевых транзисторов: проводимость канала явно увеличивалась, когда В _D увеличивалась при положительном напряжении В _G и затем стал насыщенным, как в типичном ZnO FET.Обратите внимание, что I _D в выходных характеристиках изменились очень мало, когда V _G находился в промежуточном диапазоне (дополнительный рис. 14).

Работу транзистора с тройной логикой можно более интуитивно объяснить с помощью диаграмм энергетических диапазонов на рис. 3f – h. Когда V _G увеличилось выше 0 В (область I на рис. 3c), электроны из источника инжектировались во внедренный первый слой ZnO, и устройство включалось, как показано на рис.3f. Когда положительное напряжение В _G увеличивается более чем на 1 В, ток насыщается около 3,9 нА с очень небольшими колебаниями, потому что DOS для квантованных проводящих состояний в первом слое ZnO ограничивается фиксированной величиной (рис. 3g). Таким образом, насыщенный ток стока без флуктуаций приводит к устойчивому промежуточному состоянию между включенным и выключенным состояниями обычных транзисторов (область II на рис. 3c). Режим насыщения тока был обусловлен уникальной электронной структурой композитного нанослоя ZnO, который имел только конечную плотность состояний для квантованных проводящих состояний на границе подвижности на рис.2c. Поскольку максимальное накопление заряда в слое 1 ^st ZnO было ограничено, электрическое поле, индуцированное затвором, не могло быть полностью экранировано в областях с более высоким смещением (также см. Схематические изображения на дополнительном рисунке 15). Электрическое поле от смещения затвора выше 2 В проникает в первый слой и притягивает заряды во втором слое ZnO на рис. 3h, что приводит к второму увеличению тока стока. С этого момента электрическое поведение второго слоя ZnO было аналогично поведению типичного тонкопленочного полевого транзистора ZnO, как показано в области III на рис.3c. Наше устройство также показало отличную стабильность благодаря своей прочной сверхрешеточной структуре (дополнительный рис. 16), даже несмотря на то, что в устройстве использовались органические слои Al4MP. Ток в промежуточном состоянии оставался почти постоянным даже через 180 дней. Тонкие пленки гибридной сверхрешетки также были стабильны на воздухе до 500 ° C из-за наличия ковалентно связанных гибридных слоев (дополнительный рис. 17).

Вдохновленные превосходной стабильностью наших многозначных логических транзисторов, мы создали инвертор с резистивной нагрузкой.На рисунке 3i показана измеренная кривая передачи напряжения (VTC) инвертора с резистивной нагрузкой со схемой, изображенной на вставке. Состояния троичной логики: низкий 0, промежуточный 1 и высокий 2 были реализованы с помощью переданных выходных напряжений ( В, , _из ) 0,12 В, 2,6 В и 4,75 В, соответственно, во входном напряжении ( В _в ) диапазон 5 В. Симметричный В _в — В _выход диапазон VTC показал, что усиление напряжения ( А _В = | d В _выход / d В _в |, т.е.е., абсолютное значение крутизны VTC) тройного логического транзистора было намного больше, чем единичное усиление, что привело к большему запасу помехоустойчивости при стабильном высоком, низком и промежуточном логических состояниях. Типичная стабильность логического элемента может быть оценена с помощью запаса статического шума (SNM) в V _в — V _out конфигурации инвертора с перекрестной связью ⁴⁰ . В отличие от двоичной логики тройные VTC-бабочки обеспечивают четыре запаса шума, представленные длиной диагонали каждого максимального квадрата (рис.3j). SNM определяется наименьшим (наихудшим) запасом помехоустойчивости 0,6 В, что составляет 34% от идеального SNM (равно √2 × В _DD /4; например, 1,77 В для В _DD = 5 В) и может быть улучшен путем дальнейшей оптимизации устройства. Транзистор с тройной логикой, продемонстрированный в этой работе, имел достаточное усиление по напряжению и SNM для стабильной работы тройного инвертора. Чтобы продемонстрировать возможность работы сложной схемы, мы разработали логические вентили NMIN и NMAX с резистивной нагрузкой, используя модель устройства, совместимую со схемой, и параметры устройства тройного транзистора (дополнительный рис.18). Переходные характеристики логических вентилей NMIN и NMAX были смоделированы с помощью В, _DD = 5 В и времени переходного процесса 0,1 нс. Уровни напряжения 5 В, 2,5 В и 0 В на рис. 3k эквивалентны логическим значениям «2», «1» и «0» соответственно. Как показано на рис. 3k, таблица истинности для логических вентилей NMIN и NMAX, которая эквивалентна операциям И и ИЛИ в двоичной логике, соответственно, была успешно проверена только с несколькими сбоями, возникающими из-за ошибок синхронизации. Эти ошибки легко устранить при правильной оптимизации устройства.Преимущество троичных логических схем заключается в резком уменьшении количества устройств, необходимых для выполнения тех же функций с использованием двоичных логических схем. В случае NMIN и NMAX количество транзисторов с тройной логикой составляло лишь около 60% от количества двоичных транзисторов, необходимых для выполнения аналогичных функций. Эти результаты показывают, что многозначный логический транзистор, разработанный в этой работе, является многообещающим кандидатом для многозначных логических схем.

Многозначные атрибуты (опции продукта) — База знаний X-Cart 5

Обычный текст и Да / Нет Типы полей значения атрибута позволяют использовать многозначную функцию , т.е.е. чтобы указать несколько параметров для одного атрибута. В X-Cart 5 эта функция используется для указания параметров продукта, из которых клиенты смогут выбирать.

Настройка многозначных атрибутов

Допустим, вы хотите дать покупателю возможность выбрать размер одежды.

Вы можете использовать параметры атрибута Обычное поле , чтобы предоставить информацию о доступных размерах одежды. Определенные размеры, такие как S, M, L и т. Д., Можно упорядочить как опции продукта, если вы добавите их в качестве значений опций для атрибута «Размер», например:

На витрине он будет отображаться следующим образом:

Опции атрибутов S, M, L и другие стали опциями продукта, которые покупатели могут выбирать перед добавлением продукта в корзину.Расположенные таким образом параметры продукта отображаются в раскрывающемся списке.

Чтобы настроить несколько значений для атрибута:

1. Используйте поле Attribute option рядом с именем атрибута, чтобы ввести значение опции атрибута, которое должно быть первым в вашем списке опций для атрибута (в нашем примере мы просто ввели «S»).
2. Появляется флажок, в котором указано , несколько значений :
3. Установите этот флажок, чтобы включить несколько значений для редактируемого атрибута.В список значений атрибутов добавляется новая пустая строка:
4. Используйте поле опции атрибута в новой строке, чтобы ввести имя следующего значения атрибута. Как только вы начнете печатать, в список добавится еще одна пустая строка.
5. Добавьте столько параметров атрибута, сколько вам нужно.
6. Если вы редактируете класс продуктов или глобальный атрибут, выберите, хотите ли вы применить изменения локально или глобально.
7. Нажмите Сохранить изменения .

С типом поля Yes / No он очень похож; Единственное отличие состоит в том, что есть только два варианта: Да, и Нет, , и вам не нужно вводить их вручную, но вы можете выбрать их из списка.

Тип атрибута «Да / Нет» требует, чтобы переключатель «Покупатели могут выбрать вариант» был установлен в положение ДА, чтобы многозначная функция стала доступной. Переключатель можно включить при настройке свойств атрибута.

На витрине покупатели могут выбрать нужный вариант, установив соответствующий флажок:

Распределение опций продукта с помощью описанного выше метода не позволяет отслеживать, сколько единиц продукта определенной опции было продано и сколько осталось.Кроме того, если продукт имеет более одного многозначного атрибута, невозможно указать комбинации опций (варианты продукта), доступные одновременно.

Если вам нужны эти функции, рассмотрите возможность установки модуля вариантов продукта X-Cart. Этот модуль позволяет создавать варианты продукта из опций и устанавливать для них собственные цены, артикулы и уровни запасов.

Установка значения атрибута по умолчанию

При настройке многозначных атрибутов вы можете указать, какие из значений атрибутов должны отображаться клиентам по умолчанию.

Чтобы установить значение атрибута по умолчанию:

1. Наведите курсор на поле, отображающее значение параметра атрибута, которое вы хотите сделать значением по умолчанию. Открыта ссылка под названием Modifiers .
2. Щелкните ссылку Modifiers и установите флажок Default option на всплывающей панели:
3. Для атрибутов класса продукта и глобальных атрибутов выберите, хотите ли вы применить изменения локально или глобально.
4. Нажмите Сохранить изменения .Настройки будут сохранены.

Настройка режима отображения многозначных атрибутов

Начиная с X-Cart v5.4.1.x, администратор магазина может выбрать, как многозначные атрибуты будут отображаться на витрине — в виде поля выбора или в виде блоков. Этот параметр доступен для всех областей и применяется только к типу атрибутов простого поля.

Режим отображения можно настроить для каждого продукта или на складе.

Чтобы настроить режим отображения атрибутов простого поля для продукта:

1. Откройте страницу сведений о продукте, который вы выбрали для редактирования, и перейдите на вкладку Атрибуты .
2. Найдите многозначный атрибут, который нужно изменить, в разделе для конкретного продукта или в общем разделе.
3. Наведите курсор на имя атрибута и щелкните ссылку, которая открывается под ним. Вы увидите возможность установить предпочтительный режим отображения для этого атрибута.
4. Установите значение режима отображения для выбора или блоков.
5. Нажмите Сохранить изменения внизу страницы.

   Если вы редактируете глобальный атрибут и хотите, чтобы изменения применялись к хранилищу, установите переключатель «Применить изменения значений атрибутов для всех продуктов», чтобы сохранить изменения заранее.

Для настройки режима отображения атрибутов простого поля storewide:

1. Найдите атрибут, который нужно отредактировать, в разделе Классы и атрибуты области администратора вашего магазина.
2. Проверьте значение в столбце Отображать как и щелкните значение, чтобы изменить его.